多靶位立式磁控溅射镀膜单机
设备集成了低压等离子体处理、高端阴极磁控溅射源、大装载量复合转动+翻转式片架等自动控制技术，工作可靠、重复性一致性良好、沉积速率快、膜层致密、附着力好、微观质量佳，可保持原有工件表面的光洁度。设备实现镀膜工艺全自动化控制，在基材表面利用先进磁控溅射方法沉积薄膜，具有生产成本低、产品合格率高、绿色环保等特点，主要适用于电脑、手机、高端工业（家用）电子电器、航空等领域，可镀制复合金属膜、合金膜、透明（半透明）膜、非金属膜、电磁屏蔽膜及特殊膜层等。
产品特点
Ø 提供配套工艺技术方案，交钥匙工程，直接用于生产；
Ø 先进的柱形旋转磁控溅射源设计，高膜厚均匀性、高靶材利用率（≥65%），可实现极佳的膜层结合力；
Ø 多靶位带防污染屏蔽系统的独立溅射工艺模块，可实现不同金属材料共同溅射；
Ø 提供24小时售后响应，1年保修；
Ø 完善的软件系统提供舒适便捷的人机交互体验，1年内免费升级；
Ø 样品挂架采用齿轮传动，稳定可靠；
Ø 优化的工业设计同时满足用户对占地尺寸和维护空间的需求。
技术参数
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项目 Items |
说明 Remarks |
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真空室尺寸（内径×高度）/mm Vacuum chamber |
Φ950 × 1000 |
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溅射方向 Sputtering direction |
立式向心溅射 Vertical centripetal sputtering |
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极限压力/pa Ultimate pressure |
5 × 10-4 |
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抽气时间 /min Pumping speed |
从1 × 105 pa至5 × 10-3 pa ≤ 30 |
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溅射工作压力/pa Sputtering pressure |
5×10-1 |
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真空系统 Vacuum system |
机械泵＋罗茨泵+分子泵 Rotary vane pump + Roots pump + Turbo molecular pump |
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柱形溅射靶管尺寸（内径×厚度×高度）/mm Target size |
Φ72 × 8 × 830 |
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溅射靶数量/set Target quantity |
1 - 3 |
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溅射靶电源 Target power |
直流电源/set DC |
1 - 3 |
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功率/kW Power |
20 |
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工件旋转/r·min Substrate rotation |
0.2 - 15 |
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工件架尺寸/mm Substrate diameter |
Φ600 × 660 |
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等离子体清洗装置 Plasma cleaning device |
射频电源/set RF |
1 |
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功率/kW Power |
2 |
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气路系统 Gas system |
自动压强系统 Automatic pressure controller |
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冷却水流量/L·min Cooling water flow |
≥15 |
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水压/kgf/cm2 Water pressure |
2 - 4 |
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进水温度/℃ Water temperature |
≤25 |
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用电功率/kW Power |
MAX-80 |
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占地面积/mm Occupying area |
2500 × 2500 × 2200 |
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备注 |
可根据客户需求设定 Customizable |
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